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因此，网济万需要额外的策略来抑制多余的空穴形成并有效降低Sn-Pb钙钛矿的p掺杂，以进一步提高其器件效率。图4为交流频率较高的500khz时，南静浅层陷阱和自由载流子的空间分布。研究结果为选择性降低Sn-Pb钙钛矿薄膜中的空穴密度和改变掺杂类型提供了一种有效的策略，平台使其能够在钙钛矿薄膜中自发形成有利的同质结，平台而不需要复杂的多层包覆过程。

如图5C所示：集合由于钡离子与DMSO有更强的结合作用，集合在DMSO挥发的过程中钡离子先被带到薄膜的上部参与形核与晶核生长，而钡离子的浓度相对Pb低的多因而被快速消耗完于顶部钙钛矿的形成过程中，后期生长的钙钛矿底部部分则基本上没有钡离子了。由于阳离子迁移的能垒大得多，泊位Ba阳离子分布不均匀形成的p-n结应该比较稳定。

此外，信息Ba2+阳离子在钙钛矿薄膜中表现出独特的不均匀分布。

未掺杂Ba2+的Sn-Pb钙钛矿的最小掺杂密度为~1.0×1015cm-3，构建与报道的Sn-Pb钙钛矿中被金属Sn还原的Sn2+空位的掺杂密度相当。现任北京石墨烯研究院院长、智慧北京大学纳米科学与技术研究中心主任。

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